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gaa fet 文章 進(jìn)入gaa fet技術(shù)社區
拜登政府恐對中國大陸封鎖最強GAA技術(shù)
- 美中貿易戰沖突未歇，傳出美國將再次出手打擊大陸半導體產(chǎn)業(yè)，針對最新的環(huán)繞閘極場(chǎng)效晶體管（GAA）技術(shù)祭出限制措施，限制其獲取人工智能（AI）芯片技術(shù)的能力，換言之，美國將防堵大陸取得先進(jìn)芯片，擴大受管制的范圍。 美國財經(jīng)媒體引述知情人士消息報導，拜登政府考慮新一波的半導體限制措施，以避免大陸能夠提升技術(shù)，進(jìn)而增強軍事能力，有可能限制大陸取得GAA技術(shù)，但確切狀況仍得等官方進(jìn)一步說(shuō)明，且不清楚官員何時(shí)會(huì )宣布新措施。若此事成真，大陸發(fā)展先進(jìn)半導體將大受打擊。目前三星從3納米開(kāi)始使用GAA技術(shù)，臺積電則從2納米
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GaN FET讓您實(shí)現高性能D類(lèi)音頻放大器
- D類(lèi)音頻放大器參考設計(EPC9192)讓模塊化設計具有高功率和高效，從而可實(shí)現全定制、高性能的電路設計。宜普電源轉換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設計，可實(shí)現優(yōu)越、緊湊型和高效的D類(lèi)音頻放大器，于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設計中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢，在4Ω負載時(shí)，每聲道輸出功率達700 W。EPC9192是可擴展的模塊化設計，其主板配有兩個(gè)PWM調制器和兩個(gè)半橋功率級子板，實(shí)現具備輔助管理電源和保護功能的雙通道放大器。這種設計的靈活性高，使
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測試共源共柵氮化鎵 FET
- Cascode GaN FET 動(dòng)態(tài)測試面臨的挑戰 Cascode GaN FET 比其他類(lèi)型的 GaN 功率器件更早進(jìn)入市場(chǎng)，因為它可以提供常關(guān)操作并具有更寬的柵極驅動(dòng)電壓范圍。然而，電路設計人員發(fā)現該器件在實(shí)際電路中使用起來(lái)并不那么容易，因為它很容易發(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復的提取。許多設計人員在電路中使用大柵極電阻時(shí)必須減慢器件的運行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優(yōu)勢。圖 1 顯示了關(guān)斷時(shí)的發(fā)散振蕩。圖 2 顯示了導通時(shí)的大柵極電壓振鈴。兩者都與圖 3 所示的 Cas
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EPC推出首款具有最低1mΩ導通電阻的GaN FET
- 全球增強型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導者宜普電源轉換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場(chǎng)上具有最低導通電阻的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐熱QFN封裝，頂部裸露，封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過(guò)五倍。憑借超低導通電阻
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適用于自主駕駛車(chē)輛LiDAR的GaN FET快速指南
- 激光探測及測距 (LiDAR) 的應用包括自主駕駛車(chē)輛、無(wú)人機、倉庫自動(dòng)化和精準農業(yè)。在這些應用中，大多都有人類(lèi)參與其中，因此人們擔心 LiDAR 激光可能會(huì )對眼睛造成傷害。為防止此類(lèi)傷害，汽車(chē) LiDAR 系統必須符合 IEC 60825-1 1 類(lèi)安全要求，同時(shí)發(fā)射功率不超過(guò) 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖，重復頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰性，因為需要使用微控制器或其他大型數字集成電路 (IC) 來(lái)控制激光二極管，但又不能直接驅動(dòng)它，這樣就必須增加一個(gè)柵極
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三星Exynos 2500芯片試產(chǎn)失?。?nm GAA工藝仍存缺陷
- 最新報道，三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問(wèn)題，原計劃搭載于Galaxy S25/S25+手機的Exynos 2500芯片在生產(chǎn)過(guò)程中被發(fā)現存在嚴重缺陷，導致良品率直接跌至0%。報道詳細指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產(chǎn)質(zhì)量問(wèn)題，未能通過(guò)三星內部的質(zhì)量檢測。這不僅影響了Galaxy S25系列手機的生產(chǎn)計劃，還導致原定于后續推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無(wú)法如期進(jìn)入量產(chǎn)階段。值得關(guān)注的是，Exynos 2500原計劃沿用上一代的10核CPU架構，升級之處在于將采用全新的
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消息稱(chēng)三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗，Exynos 2500 芯片被打上問(wèn)號
- 2 月 2 日消息，根據韓媒 DealSite+ 報道，三星的 3nm GAA 生產(chǎn)工藝存在問(wèn)題，嘗試生產(chǎn)適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。報道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過(guò)質(zhì)量測試，導致后續 Galaxy Watch 7 的芯片組也無(wú)法量產(chǎn)。此前報道，Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構，同時(shí)引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
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Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動(dòng)汽車(chē)設計性能
- 中國 北京，2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車(chē)規標準的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實(shí)現業(yè)界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品，導通電阻值最高可達 60mΩ，非常適合車(chē)載充電器、DC/DC
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臺積電2nm制程進(jìn)展順利 晶圓廠(chǎng)最快4月進(jìn)機
- 臺積電在3nm制程工藝于2022年四季度開(kāi)始量產(chǎn)之后，研發(fā)和量產(chǎn)的重點(diǎn)隨之轉向下一代2nm制程工藝，計劃在2025年實(shí)現量產(chǎn)。這意味著(zhù)工廠(chǎng)及相關(guān)的設備要做好準備，以確保按計劃順利量產(chǎn)。臺積電進(jìn)入GAA時(shí)代的2nm制程進(jìn)展順利，最新援引供應鏈合作伙伴的消息報道稱(chēng)，位于新竹科學(xué)園區的寶山2nm首座晶圓廠(chǎng)P1已經(jīng)完成鋼構工程，并正在進(jìn)行無(wú)塵室等內部工程 —— 最快4月啟動(dòng)設備安裝工作，相關(guān)動(dòng)線(xiàn)已勘查完成。而P2及高雄兩地的工廠(chǎng)則計劃在2025年開(kāi)始制造采用此項技術(shù)的2nm芯片，中科二期則視需求狀況預定
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EPC GaN FET可在數納秒內驅動(dòng)激光二極管，實(shí)現75~231A脈沖電流
- 宜普電源轉換公司（EPC）推出三款激光驅動(dòng)器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認證標準、快速轉換的GaN FET以實(shí)現具備卓越性能的激光雷達系統。EPC推出三款評估板，分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅動(dòng)器和通過(guò)車(chē)規級AEC-Q101認證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專(zhuān)為長(cháng)距離和
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臺積電2納米驚爆大弱點(diǎn)？三星搶訂單
- 臺積電為全球晶圓代工龍頭，后頭追兵三星與英特爾來(lái)勢洶洶，但臺積電在技術(shù)與訂單仍保持一定優(yōu)勢，尤其三星至今在3納米方面，依然無(wú)法取得頂尖客戶(hù)的信任，三星高層也坦言，一旦臺積電在2納米轉進(jìn)GAA技術(shù)，三星還是得向臺積電看齊學(xué)習。即使如此，三星也打算透過(guò)低價(jià)策略搶市，與臺積電做出差別。綜合外媒報導，三星雖在3納米就開(kāi)始使用GAA技術(shù)，量產(chǎn)時(shí)間也比臺積電早數個(gè)月，但在良率與技術(shù)上無(wú)法獲得客戶(hù)青睞，蘋(píng)果、輝達等科技巨頭的大單仍在臺積電手上，臺積電3納米沿用較舊的FinFET技術(shù)。三星不甘示弱，希望能在2納米領(lǐng)域上扭
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日立高新技術(shù)公司部宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統
- 日立高新技術(shù)公司宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統。GT2000利用日立高新技術(shù)在CD-SEM*1方面的技術(shù)和專(zhuān)業(yè)知識，在那里占有最大的市場(chǎng)份額。GT2000配備了用于尖端3D半導體器件的新型檢測系統。它還利用低損傷高速多點(diǎn)測量功能用于high-NA EUV*2抗蝕劑晶片成像，以最小化抗蝕劑損傷并提高批量生產(chǎn)的產(chǎn)率。日立高新技術(shù)（Hitachi High-Tech）GT2000 CD-SEM將能夠實(shí)現高級半導體器件制造過(guò)程中的高精度、高速測量和檢測，這些半導體器件正變得越來(lái)越小型化和復雜化，并有助
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Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專(zhuān)有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經(jīng)過(guò)二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專(zhuān)業(yè)知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯(lián)氮化鎵場(chǎng)效應管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場(chǎng)效應管，采用CCP
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FET 生物傳感器的直流I-V 特性研究
- 由于半導體生物傳感器的低成本、迅速反應、檢測準確等優(yōu)點(diǎn)，對于此類(lèi)傳感器的研究和開(kāi)發(fā)進(jìn)行了大量投入。特別是基于場(chǎng)效應晶體管 (FET) 的生物傳感器或生物場(chǎng)效應管，它們被廣泛用于各種應用：如生物研究，即時(shí)診斷，環(huán)境應用，以及食品安全。生物場(chǎng)效應管將生物響應轉換為分析物，并將其轉換為可以使用直流I-V技術(shù)輕松測量的電信號。輸出特性 (Id-Vd)、傳輸特性 (Id-Vg) 和電流測量值相對于時(shí)間 (I-t) 可以與分析物的檢測和幅度相關(guān)。根據設備上的終端數量，可以使用多個(gè)源測量單元(SMU) 輕松完成這些直流
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EPC新推100 V GaN FET助力實(shí)現更小的電機驅動(dòng)器,用于電動(dòng)自行車(chē)、機器人和無(wú)人機
- 基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設計顯著(zhù)提高了電機驅動(dòng)系統的效率、扭矩而同時(shí)使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機外殼中，從而實(shí)現最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。 宜普電源轉換公司宣布推出三相BLDC電機驅動(dòng)逆變器參考設計(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14V ~60V，可提供高達60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓范圍和功率使該解決方案非常適合用于各種三相BLDC電機驅動(dòng)器，包括電動(dòng)自行車(chē)、電動(dòng)滑板車(chē)、無(wú)人
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